RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
66
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
16.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
66
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
1934
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link