RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
43
Autour de -19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
36
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
3238
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link