RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
43
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
36
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3238
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link