Comparaison de la RAM Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Intg. Silicon Solutions MLLSE 800 2GB 2GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Intg. Silicon Solutions MLLSE 800 2GB 2GB

Note globale

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

1,857.7 1,842.2

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Intg. Silicon Solutions MLLSE 800 2GB 2GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

50 69

Autour de -38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

4 4

Valeur moyenne dans les tests

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Intg. Silicon Solutions MLLSE 800 2GB 2GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

668 718

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns