RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
58
Autour de -49% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
39
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
12.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
2089
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link