RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
58
Wokół strony -49% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
39
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2089
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link