RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
58
Wokół strony -49% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
39
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2089
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link