RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
58
Autour de -76% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
33
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
2686
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link