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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
46
Autour de -59% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.8
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
29
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
12.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2339
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
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