RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 9905622-025.A00G 4GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
46
左右 -59% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.8
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
29
读取速度,GB/s
2,909.8
12.3
写入速度,GB/s
1,519.2
9.8
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2339
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link