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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5315-020.A00LF 512MB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 99U5315-020.A00LF 512MB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Kingston 99U5315-020.A00LF 512MB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
48
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston 99U5315-020.A00LF 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,013.2
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
6400
3200
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5315-020.A00LF 512MB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
46
48
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
4,187.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
2,013.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
6400
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
624
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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