Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Kingston 99U5315-020.A00LF 512MB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Средняя оценка

Kingston 99U5315-020.A00LF 512MB

Kingston 99U5315-020.A00LF 512MB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

46 48

Около 4% меньшая задержка

Kingston 99U5315-020.A00LF 512MB

Причины выбрать
Kingston 99U5315-020.A00LF 512MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,013.2 1,519.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

6400 3200

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Kingston 99U5315-020.A00LF 512MB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR2
Задержка в PassMark, нс

46 48
Скорость чтения, Гб/сек

2,909.8 4,187.1
Скорость записи, Гб/сек

1,519.2 2,013.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

3200 6400

Other

Описание

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота

3-3-3-12 / 400 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

241 624

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB

Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB

Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB

Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB

Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

модули RAM

Kingston 9965516-049.A00LF 8GB

Kingston 9965516-049.A00LF 8GB

Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB

Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB

модули RAM

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB

A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB

модули RAM