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Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Comparez
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Note globale
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
52
53
Autour de 2% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,239.6
1,906.4
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
52
53
Vitesse de lecture, GB/s
4,672.4
5,038.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,906.4
2,239.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
6400
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
698
877
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
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Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
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Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
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