RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
比較する
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
総合得点
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
総合得点
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
52
53
周辺 2% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
5
4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,239.6
1,906.4
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR2
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
52
53
読み出し速度、GB/s
4,672.4
5,038.1
書き込み速度、GB/秒
1,906.4
2,239.6
メモリ帯域幅、mbps
6400
6400
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
698
877
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB RAMの比較
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB RAMの比較
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link