RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Comparez
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Note globale
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Note globale
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
52
Autour de -13% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
1,906.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
46
Vitesse de lecture, GB/s
4,672.4
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,906.4
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
698
2660
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link