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Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Comparez
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Note globale
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Raisons de considérer
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
73
Autour de -170% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
3.2
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
73
27
Vitesse de lecture, GB/s
6.1
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
3.2
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
10600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1004
2251
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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