RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
35
Autour de -25% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
28
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
12.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
2619
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-036.A00LF 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link