RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2619
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link