RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Comparez
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Note globale
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
56
Autour de -133% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
1,813.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,387.7
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,813.5
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
693
2434
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link