RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
56
Около -133% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.6
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
14.7
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
2434
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link