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Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Comparez
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Note globale
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Note globale
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
48
Autour de 33% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.6
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
32
48
Vitesse de lecture, GB/s
10.8
11.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2349
2466
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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