RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
104
Autour de -247% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3106
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link