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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
12.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
104
Por volta de -247% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
12.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3106
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
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