RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
104
Autour de -235% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3084
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston K531R8-MIN 4GB
INTENSO 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link