RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
12.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
104
Intorno -235% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
31
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3084
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link