RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Comparez
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Note globale
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
19.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,072.7
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
75
Autour de -200% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
25
Vitesse de lecture, GB/s
2,730.3
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,072.7
16.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
3933
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link