RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB 考慮すべき理由
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 19.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,072.7 left arrow 16.3
    テスト平均値
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 75
    周辺 -200% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    75 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    2,730.3 left arrow 19.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,072.7 left arrow 16.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    858 left arrow 3933

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB RAMの比較

Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB RAMの比較

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
メモリRAM
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
メモリRAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
メモリRAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
メモリRAM