RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
73
Autour de -181% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
2455
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT41GR7MFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link