RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Comparez
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB vs Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Note globale
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Note globale
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
65
77
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,451.8
2,279.6
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
77
65
Vitesse de lecture, GB/s
3,872.0
4,605.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,279.6
2,451.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
6400
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
713
878
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link