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Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Comparez
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB vs Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Note globale
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Note globale
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Raisons de considérer
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
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Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
65
77
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,451.8
2,279.6
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
77
65
Vitesse de lecture, GB/s
3,872.0
4,605.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,279.6
2,451.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
6400
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
713
878
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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