RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
20.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
69
Autour de -263% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.2
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
19
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
20.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
17.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
3681
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link