RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
69
Wokół strony -263% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3681
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link