RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Comparez
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Note globale
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Note globale
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
27
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
5.4
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
25
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
5.4
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1774
2583
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link