RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB vs A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Note globale
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
66
Autour de 41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
66
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
11.5
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
25600
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2264
2429
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
INTENSO 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link