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Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB vs A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
66
Intorno 41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
13.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
11.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
66
Velocità di lettura, GB/s
15.5
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
11.5
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
25600
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2264
2429
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
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A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
A-DATA Technology AD63I1C1624EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
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