RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
38
Autour de -73% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.9
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.5
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
22
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
20.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
18.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
4324
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link