RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
38
Intorno -73% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.9
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.5
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
22
Velocità di lettura, GB/s
15.5
20.9
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
18.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
4324
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link