Comparaison de la RAM Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Note globale

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

15.5 8.2

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.0 5.2

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

25600 14900

Autour de 1.72% bande passante supérieure

Raisons de considérer
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

32 38

Autour de -19% latence réduite

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Timings / Vitesse d'horloge

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 9-10-9-28 / 1866 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2283 1409

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns