Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Средняя оценка

Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.5 8.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.0 5.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 14900

Около 1.72% выше полоса пропускания

Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Причины выбрать
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 38

Около -19% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR3
Задержка в PassMark, нс

38 32
Скорость чтения, Гб/сек

15.5 8.2
Скорость записи, Гб/сек

12.0 5.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 14900

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 9-10-9-28 / 1866 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2283 1409

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB

A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

AMD R744G2400U1S 4GB

AMD R744G2400U1S 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB

SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Kingston 9905663-006.A00G 16GB

Kingston 9905663-006.A00G 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB

Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB

Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB

модули RAM

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Kingston KVR648-PSB 8GB

Kingston KVR648-PSB 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB

Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB

Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB

модули RAM