RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Comparez
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Note globale
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
48
Autour de 6% latence réduite
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.7
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
48
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
15.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2077
3047
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link