RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
48
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
48
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
3047
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link