RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Avexir Technologies Corporation T 4GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
47
Autour de -124% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
21
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
2801
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link