RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
48
Autour de -55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
31
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
3217
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB Comparaison des RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link