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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
48
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
31
读取速度,GB/s
8.9
15.2
写入速度,GB/s
5.9
13.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3217
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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