RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
60
Autour de 50% latence réduite
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
60
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
9.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
2004
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link