RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
30
Autour de -7% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
3410
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link