RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
30
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
29
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
3687
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link