RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
30
Autour de -43% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.6
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
21
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
3077
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link