RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
30
Autour de -30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
23
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
2675
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link