RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
37
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
37
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
2461
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333S364L9/4G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link