RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
37
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
37
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
13.0
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
2512
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link