RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
35
Autour de 14% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
35
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
2841
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link